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博主@数码闲聊站爆料， 高通骁龙8+量产机实测表明， 日常流畅度和温度表现都比骁龙8好太多， 台积电赢面很大。
据悉， 这颗芯片基于台积电4nm工艺制程打造， 超大核主频提升到了3.2GHz， 性能提升的同时， 骁龙8+功耗也有很大优化。
官方称CPU功耗相比骁龙8降低了约30%， GPU功耗降低最高也有30%， 平台整体功耗相比骁龙8下降了15%左右。
小米集团王翔指出， 虽然骁龙8+看起来是骁龙8的小幅升级版， 但是它绝不是简单的半代小升级， 而是真真正正的体验大革新， 小米和高通已经联调数月， 新平台有着非常漂亮的功耗表现， 实现性能功耗双突破。
这颗芯片由小米12S系列首发搭载， 具体商用机型分别是小米12S、 小米12S Pro和小米12S Ultra， 三者都搭载了徕卡影像， 加入了徕卡算法和徕卡滤镜， 成像相比小米12系列又有新的突破。
该机将于7月4日发布。
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突发！日本4000万人手机没信号 通信瘫痪******这个周末， 日本第二大移动运营商KDDI因设备问题突发通信故障， 影响了接近4000多万用户的使用， 手机没有信号， 通信全断。
KDDI用户的手机均显示没有信号， 无法接打通话， 手机上网也时好时坏。 日本相关部门称受影响用户可使用固定电话或公用电话求助， 而日本全国约1300个气象观测点有接近四成瘫痪， 在台风逐渐逼近下， 民众也造成了不小的恐慌。
而ATM机、 公交卡、 车联网等服务也都无法使用， 持续36小时仍然还没有全部解决。
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亚马逊向欧盟妥协： 为Prime付费服务增加“取消订阅”按钮******新浪科技讯 北京时间7月2日凌晨消息， 据报道， 在遭到全球多家消费者团体的投诉后， 亚马逊终于做出调整， 让用户轻松地取消对“Amazon Prime”服务的订阅。
去年4月， 欧洲消费者组织（BEUC）、 挪威消费者委员会（NCC）和跨大西洋消费者对话（TACD， 美国和欧盟消费者组织的论坛）向欧盟委员会表达了对亚马逊的不满。
他们称， 用户必须通过层层障碍， 如复杂的导航菜单， 歪曲的措辞和令人困惑的选择， 才能取消对“Amazon Prime”的订阅。 为此， 一些消费者组织还对亚马逊提起了诉讼。
对此， 欧盟委员会今日表示， 亚马逊现允许用户轻松地取消订阅“Amazon Prime”， 只需简单的“两次点击”。 欧盟委员会进一步解释说， 亚马逊已提供一个显著且明显的“取消按钮”， 点击两次即可取消订阅。
这一调整将适用于所有欧盟网站， 以及台式设备、 手机和平板电脑， 且立即生效。
欧盟司法专员迪迪埃·雷恩德斯（Didier Reynders）在一份声明中称： “消费者必须能够在没有任何平台压力的情况下， 行使自己的权利。 有一件事是明确的： 必须禁止操纵性设计或‘黑暗模式’。 ”
而亚马逊表示： “经过重新设计， 用户注册或取消Prime会员资格， 都变得简单明了。 我们一直在听取反馈， 并寻找改善客户体验的方法。 就像这一次， 在与欧盟委员会进行建设性对话后， 我们做出了调整。 ”
在美国， 亚马逊Prime的年费已涨至139美元， 为会员用户提供快速的送货服务， 在视频和其他方面也有诸多优惠政策。
哪个app可以买球彩-有什么手机app买球 三星宣布量产3纳米制程芯片， 超车台积电******
图片来源： 三星
记者 | 彭新
6月30日， 三星电子宣布已经开始大规模生产3纳米芯片， 是全球首家量产3纳米芯片的公司。
三星称， 与前几代工艺使用FinFET技术不同， 三星使用的全环绕栅极（gate-all-around， GAA）晶体管技术， 使新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗， 性能提高23%， 并减少16%的面积。
纳米为一米的十亿分之一， 是处理芯片时常用的晶体管宽度单位。 这个数字越小， 芯片制程就越先进， 也越容易提高性能。 三星预计， 在下一阶段芯片性能会提高， 功耗和产品尺寸还将进一步下降。
三星并未公布首发客户名单， 也没有详细说明新芯片的产量， 但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。
在晶圆代工市场， 主要为台积电和三星两家公司竞争， 而台积电仍居于主导地位， 占全球晶圆代工营收的一半以上， 也是iPhone、 iPad等产品处理器的独家供货商。
至于台积电3纳米制程进展， 台积电董事长刘德音曾在本月初的股东会上提及， 先进制程的进展都按照计划发展中， 预计下半年将量产3纳米芯片。
与三星不同的是， 台积电将采用较为成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor， FinFET）工艺， 一直到2025年量产2纳米芯片时， 才会采用GAA技术。 另有报道称， 苹果和英特尔正在测试台积电的3纳米制程工艺。 这也意味着， 三星、 台积电将用不同架构设计的3纳米制程进行对决。
目前三星也在开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术， 声称相关技术能使晶片效能较7纳米时提高35%、 面积减少45%， 功耗降低五成。
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